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Patent Title

Inventors Filing number Consultant
 Produzione di massa di sensori di gas mediante deposizione PVD o VLS di nanofili di ossidi metallici su substrati
ceramici
Giorgio Sberveglieri, Veronica Sberveglieri, Dario Zappa, Maurizio Donarelli, Elisabetta Comini
 N. deposito italiano 102016000063148 del 20/06/2006 EUREKA IP CONSULTING
Sensore di monossido di carbonio a film sottile operante a temperatura ambiente.
Elisabetta Comini, Giorgio Sberveglieri, Guido Faglia N. deposito italiano TO2004A000676 del6/10/2004 Jacobacci & Perani

Metodo ed apparecchiatura per l’analisi della vinaccia per la produzione di distillati mediante l’uso di una matrice di sensori di gas

Giorgio Sberveglieri, Matteo Falasconi, Matteo Pardo, Luigi Odello
N. deposito italiano TO2003A000996 del 11/12/2003
Jacobacci & Perani
Dispositivo sensore di gas a film sottile semiconduttore
Giorgio Sberveglieri, Guido Faglia, Elisabetta Comini, Camilla Baratto, Matteo Falasconi
 N. deposito italiano TO2003A000318 del 24/04/2003
Jacobacci & Perani
Camera miniaturizzata a flussi direzionali per le misure simultanee di una pluralità di sensori di gas, particolarmente adatta per i nasi elettronici. Giorgio Sberveglieri, Guido Faglia, Elisabetta Comini, Matteo Pardo, Matteo Falasconi   N° deposito italiano: TO2002U000214 del giorno 03/12/ 2002 Atto DG n. 76/02

 

Jacobacci & Perani  
Nuovi materiali compositi per applicazioni sensoristiche. L. Sartore , M. Penco , F. Bignotti , G. Sberveglieri   Decreto del Presidente n. 50/02 N° deposito italiano: TO2002A000244 del giorno 19/03/ 2002 Jacobacci & Partners  

 

Metodo per la fabbricazione di dispositivi a stato solido mediante deposizione di membrane di Silicio. Nota: Brevetto in comproprietà con ENEA (50%). G. Di Francia, G. Iadonisi , V. La Ferrara , L. Lancellotti , P. Maddalena, D. Ninno, L. Quercia, F. Roca, G. Sberveglieri, R Vitiello   Delibera G.E. n°: 992/99 N° deposito italiano: GE99A0000146 del giorno 29/12/ 1999 Fischetti & Weber  
Dispositivo sensore a base di silicio cristallino, in particolare per la rilevazione di ossigeno a temperatura ambiente in atmosfera inerte.Nota: Brevetto in comproprietà con ENEA (50%). G. Di Francia, D. Ninno, L. Quercia, V. La Ferrara , F. Roca, G. Iadonisi , F. Cerullo , G. Sberveglieri Delibera G.E. n°: 993/99 N° deposito italiano: RM99A000752 del giorno 10/12/ 1999

 

Barzanò & Zanardo  
Sensore di gas a film sottile semiconduttore con migliorata selettivita’
Elisabetta Comini, Nicola Poli, Giorgio Sberveglieri
N. deposito italiano TO2004A000883

Jacobacci & Perani