Patents
Patent Title |
Inventors | Filing number | Consultant |
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| Produzione di massa di sensori di gas mediante deposizione PVD o VLS di nanofili di ossidi metallici su substrati ceramici | Giorgio Sberveglieri, Veronica Sberveglieri, Dario Zappa, Maurizio Donarelli, Elisabetta Comini | N. deposito italiano 102016000063148 del 20/06/2006 | EUREKA IP CONSULTING |
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Sensore di monossido di carbonio a film sottile operante a temperatura ambiente.
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Elisabetta Comini, Giorgio Sberveglieri, Guido Faglia | N. deposito italiano TO2004A000676 del6/10/2004 | Jacobacci & Perani |
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Metodo ed apparecchiatura per l’analisi della vinaccia per la produzione di distillati mediante l’uso di una matrice di sensori di gas |
Giorgio Sberveglieri, Matteo Falasconi, Matteo Pardo, Luigi Odello
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N. deposito italiano TO2003A000996 del 11/12/2003
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Jacobacci & Perani
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Dispositivo sensore di gas a film sottile semiconduttore
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Giorgio Sberveglieri, Guido Faglia, Elisabetta Comini, Camilla Baratto, Matteo Falasconi
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N. deposito italiano TO2003A000318 del 24/04/2003
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Jacobacci & Perani
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| Camera miniaturizzata a flussi direzionali per le misure simultanee di una pluralità di sensori di gas, particolarmente adatta per i nasi elettronici. | Giorgio Sberveglieri, Guido Faglia, Elisabetta Comini, Matteo Pardo, Matteo Falasconi | N° deposito italiano: TO2002U000214 del giorno 03/12/ 2002 Atto DG n. 76/02
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Jacobacci & Perani |
| Nuovi materiali compositi per applicazioni sensoristiche. | L. Sartore , M. Penco , F. Bignotti , G. Sberveglieri | Decreto del Presidente n. 50/02 N° deposito italiano: TO2002A000244 del giorno 19/03/ 2002 | Jacobacci & Partners
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| Metodo per la fabbricazione di dispositivi a stato solido mediante deposizione di membrane di Silicio. Nota: Brevetto in comproprietà con ENEA (50%). | G. Di Francia, G. Iadonisi , V. La Ferrara , L. Lancellotti , P. Maddalena, D. Ninno, L. Quercia, F. Roca, G. Sberveglieri, R Vitiello | Delibera G.E. n°: 992/99 N° deposito italiano: GE99A0000146 del giorno 29/12/ 1999 | Fischetti & Weber |
| Dispositivo sensore a base di silicio cristallino, in particolare per la rilevazione di ossigeno a temperatura ambiente in atmosfera inerte.Nota: Brevetto in comproprietà con ENEA (50%). | G. Di Francia, D. Ninno, L. Quercia, V. La Ferrara , F. Roca, G. Iadonisi , F. Cerullo , G. Sberveglieri | Delibera G.E. n°: 993/99 N° deposito italiano: RM99A000752 del giorno 10/12/ 1999
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Barzanò & Zanardo |
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Sensore di gas a film sottile semiconduttore con migliorata selettivita’
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Elisabetta Comini, Nicola Poli, Giorgio Sberveglieri
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N. deposito italiano TO2004A000883
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Jacobacci & Perani |